ფენები: 4
ზედაპირის დასრულება: ENIG
ბაზის მასალა: FR4
გარე ფენა W/S: 12/5 მლ
შიდა ფენა W/S: 12/5 მლ
სისქე: 1.6 მმ
მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,25 მმ
ფენები: 8 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 7/4 მლ შიდა ფენა W/S: 5/4,5 მლ სისქე: 1.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ სპეციალური პროცესი: წინაღობის კონტროლი + მძიმე სპილენძი
ფენები: 2 ზედაპირის დასრულება: HASL ბაზის მასალა: Tg170 FR4 სისქე: 1.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,5 მმ სპეციალური პროცესი: კოჭის წინააღმდეგობა, მძიმე სპილენძი
ფენები: 4 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 S1141 გარე ფენა W/S: 5,5/3,5 მლ შიდა ფენა W/S: 5/4 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,25 მმ სპეციალური პროცესი: წინაღობის კონტროლი + მძიმე სპილენძი
ფენები: 6 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 4/2,5 მლ შიდა ფენა W/S: 4/3.5 მლ სისქე: 1.2 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ
ფენები: 2 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 11/4 მლ სისქე: 2.5 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,35 მმ
ფენები: 4 ზედაპირის დასრულება: HASL ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 5.5/11 მლ შიდა ფენა W: 15 მლ სისქე: 1.2 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.3 მმ სპეციალური პროცესი: წინაღობის კონტროლი + მძიმე სპილენძი
ფენები: 6 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 4/4 მლ შიდა ფენა W/S: 4/4 მლ სისქე: 1.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ სპეციალური პროცესი: წინაღობის კონტროლი + მძიმე სპილენძი
ფენები: 6 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 10/5 მლ შიდა ფენა W/S: 7/5 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,25 მმ სპეციალური პროცესი: მძიმე სპილენძი
+86 13058186932
em01@huihepcb.com
+86 13751177644