ფენები: 4 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 Tg150 გარე ფენა W/S: 4/4 მლ შიდა ფენა W/S: 4/4 მლ სისქე: 1.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,25 მმ
ფენები: 2 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 Tg170 გარე ფენა W/S: 7/4 მლ სისქე: 0.8 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.3 მმ
ფენები: 10 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: საშუალო TG FR4 გარე ფენა W/S: 4/4 მლ შიდა ფენა W/S: 4/4 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ სპეციალური პროცესი: ოქროს თითი
ფენები: 16 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: მაღალი TG FR4 გარე ფენა W/S: 4/4 მლ შიდა ფენა W/S: 3.5/3.5 მლ სისქე: 2.43 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,75 მმ
ფენები: 8 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: მაღალი TG FR4 გარე ფენა W/S: 3.5/4 მლ შიდა ფენა W/S: 4/3.5 მლ სისქე: 1.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ სპეციალური პროცესი: წინაღობის კონტროლი
ფენები: 10 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 TG150 გარე ფენა W/S: 9/8 მლ შიდა ფენა W/S: 6.5/6.5 მლ სისქე: 4.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,5 მმ
ფენები: 14 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: მაღალი TG FR4 გარე ფენა W/S: 3.5/3.5 მლ შიდა ფენა W/S: 3/3 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.15 მმ სპეციალური პროცესი: 0.5CSP
ფენები: 6 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: მაღალი Tg FR4 გარე ფენა W/S: 5/5 მლ შიდა ფენა W/S: 5/5 მლ სისქე: 1.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ სპეციალური პროცესი: ოქროს თითი
ფენები: 6 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 Tg 170 გარე ფენა W/S: 4/4 მლ შიდა ფენა W/S: 4/4 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.3 მმ
+86 13058186932
em01@huihepcb.com
+86 13751177644