ფენები: 4 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 Tg170 გარე ფენა W/S: 5.5/6 მლ შიდა ფენა W/S: 17,5 მლ სისქე: 1.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,5 მმ სპეციალური პროცესი: Blind Vias
ფენები: 10 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 ღირებულება: 4/4 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ სპეციალური პროცესი: Blind Vias
ფენები: 6 ზედაპირის დასრულება: HASL ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 9/4 მლ შიდა ფენა W/S: 11/7 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.3 მმ
ფენები: 8 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 3/3 მლ შიდა ფენა W/S: 3/3 მლ სისქე: 0.8 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.1 მმ სპეციალური პროცესი: Blind & Buried Vias
ფენები: 14 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 4/5 მლ შიდა ფენა W/S: 4/3.5 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ სპეციალური პროცესი: Blind & Buried Vias
ფენები: 4 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 6/4 მლ შიდა ფენა W/S: 6/5 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.3 მმ სპეციალური პროცესი: Blind & Buried Vias, წინაღობის კონტროლი
ფენები: 12 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 7/4 მლ შიდა ფენა W/S: 5/4 მლ სისქე: 1.5 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,25 მმ
ფენები: 8 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 გარე ფენა W/S: 4,5/3,5 მლ შიდა ფენა W/S: 4,5/3,5 მლ სისქე: 1.6 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0,25 მმ სპეციალური პროცესი: Blind & Buried Vias, წინაღობის კონტროლი
ფენები: 6 ზედაპირის დასრულება: ENIG ბაზის მასალა: FR4 ღირებულება: 5/4 მლ სისქე: 1.0 მმ მინ.ხვრელის დიამეტრი: 0.2 მმ სპეციალური პროცესი: Blind Vias
+86 13058186932
em01@huihepcb.com
+86 13751177644